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【其他】 【外行思維廣樂趣多】 既然現(xiàn)在集成電路遇到晶體管太密集散熱漏電問題,是不是可以擴大間距

整理時間:2014-01-18 02:12 來源:www.99912.com.cn 作者:編輯 點擊:

【樓主】2014-01-20 15:37

» 既然現(xiàn)在集成電路遇到晶體管太密集散熱漏電問題,是不是可以擴大間距
    例如兩根電線相隔1毫米容易擊穿,那我拉開到5毫米不就是了。。。
    22納米單位面積功率大,漏電嚴重,那我可以器件22納米,但器件之間的間隔搞高,這樣還有可能增加良品率的可能。
    什么集成的一堆東西恰當?shù)目常3趾诵拿娣e不大幅度增大,四核變雙核四線程,因為漏電和發(fā)熱減少了,狂飆6G。
    
    好吧我是純外行……
    
網(wǎng)友評論2014-01-20 15:40


    我也是外行,但是我覺得設(shè)計這個一定要考慮電氣性能的吧,比如增大間距,那么會多出來很長的線路吧,電阻,衰減之類的也會增大
    
網(wǎng)友評論2014-01-20 15:40


    估計不行,這樣搞性能就下降了吧,要不體積就增大了
    
網(wǎng)友評論2014-01-20 15:42


    i7有18.6億晶體管,簡單地距離增加五倍你能想象體積有多大?
    
網(wǎng)友評論2014-01-20 15:44


    那個,制程就是兩個晶體管之間的間隔。。
    
網(wǎng)友評論2014-01-20 15:44


    那就成這樣了
    
    

網(wǎng)友評論2014-01-20 15:44


    晶體管間距拉大以后,各晶體管之間連接線路的距離也會增加,幾十億個晶體管之間的線路距離累加起來就會變得很長,線路長了就會增加能耗。
    
    這些年電子元件越做功率越低,很大一部分原因也是做小了以后縮短了總的電線長度降低了很多能耗。
    
網(wǎng)友評論2014-01-20 16:10


    Topic Post by nkzzt (2014-01-20 15:37):
    
    例如兩根電線相隔1毫米容易擊穿,那我拉開到5毫米不就是了。。。
    22納米單位面積功率大,漏電嚴重,那我可以器件22納米,但器件之間的間隔搞高,這樣還有可能增加良品率的可能。
    什么集成的一堆東西恰當?shù)目,保持核心面積不大幅度增大,四核變雙核四線程,因為漏電和發(fā)熱減少了,狂飆6G。
    
    好吧我是純外行……
    那你這就不是22nm制程了,是122納米制程
    
網(wǎng)友評論2014-01-20 16:12


    我覺得你應該先對"溝道"和用來互連的金屬線有一定概念,然后再搞清楚leakage的產(chǎn)生原理...
    
網(wǎng)友評論2014-01-20 16:36


    現(xiàn)在主要問題在于要造一個足夠快的晶體管的話,它就不能完全關(guān)斷了,就像一個水龍頭,關(guān)到最小還在滴水……類似于發(fā)動機運轉(zhuǎn)到一定速度要開啟vtec,氣缸同時在進氣出氣,油耗剛剛的
    
網(wǎng)友評論2014-01-20 16:39


    線距太大會撐大芯片size
    
網(wǎng)友評論2014-01-20 16:41


    面積就大了,走線就長了,于是速度就慢了,就是個很蛋疼的事
    大規(guī)模的并行對于cpu很難就是這個原因,所以超算很屌
    
    以上內(nèi)容先后間沒有什么邏輯關(guān)系,請不要在意…
    
網(wǎng)友評論2014-01-20 16:50


    Reply Post by az127 (2014-01-20 15:44):
    
    那就成這樣了
    
    good,最好再加上價格
    
網(wǎng)友評論2014-01-20 16:51


    所以要用high-k材料啊
    
網(wǎng)友評論2014-01-20 16:51


    樓主的思路沒問題,現(xiàn)在芯片也有這個發(fā)展趨勢。不過芯片面積越大功耗越大,占用的硅也越多,所以廠商都樂意降低間距,面積。
    
網(wǎng)友評論2014-01-20 17:05


    芯片面積如何控制?
    集成電路越做越小一個是猶豫晶體管按比例縮小以后驅(qū)動電壓也可以按照比例縮小,而且功耗降低,密集的話響應速度也會變快,電子在半導體內(nèi)部的傳輸速度并不是光速,所以集成度上去了響應速度也會變快很多,如果拉開距離,那么響應速度自然會變低,而且由于傳輸距離增加,功耗也會增加
    
網(wǎng)友評論2014-01-20 22:48


    Reply Post by Thutmose (2014-01-20 16:12):
    我覺得你應該先對"溝道"和用來互連的金屬線有一定概念,然后再搞清楚leakage的產(chǎn)生原理...
    模電
    
網(wǎng)友評論2014-01-21 02:58


    還有傳輸問題,光速看起來很快,但是再拉大間距后會成為瓶頸的
    
網(wǎng)友評論2014-01-21 03:06


    擴大間距?
    那不是倒回去了么
    這辛辛苦苦才前進到納米時代的意義就是縮小尺寸啊
    
網(wǎng)友評論2014-01-21 03:19


    拉開間距代表芯片面積增大,成本增加,這是最主要的。整個半導體行業(yè)賺錢的方式就是減小尺寸,靠產(chǎn)量和廉價掙錢。你這樣等于扼殺了行業(yè)。
    
    其次拉開管子的間距會導致匹配變得困難,性能下降。重要的參考電壓如果走線太長也不好。還有很多方面不細說了,當然這個得具體分析,實際上有很多混合電路的技巧是要拉開間距的。
    

    
    
    

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